文/王新喜
如果下一部新手机，可能要至少多花一千块，消费者是疯狂抢购，还是延迟换机？从网友评论来看，多数消费者会选择后者。
最近，手机集体涨价的消息引发业内热议。OPPO、vivo、小米、荣耀，这些平时在价格战中杀得眼红的对手，如今却在做同一件事：涨价。
根据供应链及多家ODM厂商透露，从3月初开始，一场全品牌、全品类的涨价潮将席卷而来，新品最低涨幅1000元起，旗舰机甚至要贵出两三千。
展开剩余85%AI大模型爆发，全球科技巨头都在疯狂建设AI服务器，AI对HBM芯片的需求产生爆炸性增长，存储器公司更愿意生产利润更高的HBM芯片，HBM内存就是DRAM大类里的高端细分产品，基本都用在AI领域，能满足海量的数据处理需求，是AI芯片的心脏。
而全球能量产HBM内存的，只有韩国，光三星和SK海力士就垄断了全球90%的市场，英伟达也得排队进货。在HBM领域，SK海力士比三星更厉害。不仅独占9成高端市场，一度还是英伟达御用供应商。
2023年以来，SK海力士的HBM3的价格已经上涨5倍多，随着AI浪潮的爆发，对海量数据的运算需求越来越大，SK海力士站上了C位。
因此配资行业资讯，当AI竞争走到今天，需要强悍的性能，普通的DDR内存满足不了速度的要求，需要HBM内存，HBM内存的利润更高，三星、海力士、美光几家大厂把大量产能转向利润更高的AI服务器，留给手机的产能被严重挤压。
2月23日，海力士开了个电话会议，在电话会议上，海力士明确表示现在的存储器市场已经转向卖方市场，当前公司的订单需求远超产能。由于HBM利润更高，海力士会将芯片产能向HBM芯片倾斜，目前海力士2026年所有的HBM产能都已经预订完毕。
另外海力士表示，DRAM和NAND芯片产能紧张，库存周期仅有4周，处于历史最低水平，所有客户均面临供应紧张局面，没有任何客户能够获得足量稳定供货。
行业普遍预计，本轮涨价潮会持续2026年全年，并延续到2027年，甚至还可能持续到2028年。
也就是说，消费者手机里那个用来存照片、装App的闪存和内存现货价直接暴涨超300%，而且这一过程还将持续数年。
目前12GB运行内存成本从200元涨到近600元，256GB闪存涨幅接近翻倍，1TB版本更贵。内存占手机成本的比例，按手机的定位而不同，手机越低端，内存成本占比越高。这还没考虑到flash的闪存价格上涨因素。
根据UBS分析师的数据分析，到2026年第四季度，内存成本在高端智能手机物料清单（BOM）中的占比或将达到14%，而中低端智能手机的这一比例甚至可能飙升至34%，大幅挤压厂商的利润空间。
内存涨价，苹果也焦虑，带头转换
可以说，内存涨价，消费者不焦虑，焦虑的是厂商，现在谁手里没有几台手机呢，手机不是刚需，尤其是去年国补下，其实手机需求市场部分饱和，而今年涨价完全吃掉了国补，除了少部分刚需，大部分用户会缩减手机开支。
而苹果，作为全球议价能力最强的一家厂商，它具备更好的成本控制力与品牌溢价、利润空间，因此，在涨价潮之下，它可以拥有更强的打价格战的能力，它更担心的是内存缺货，竟然谈都没谈就“被迫”接受了上游三星半导体内存涨价100%的报价。
有业内人士表示，他甚至怀疑，这是苹果和三星联合搞的一个“阳谋”——目的就是为了通过这波元器件涨价，借由自家的高毛利优势，抢回被国产机夺去的市场份额。
因为自库克接手以来，苹果就始终在成本控制上下了不少功夫。包括销售端减少配件，减少物料成本；缩减包装体积，压缩仓储运输成本。
供应端上，尽可能保证同系列机型元器件的统一，减少元器件成本。生产端上，将工厂迁移至人力成本更低的印度及东南亚等。在库克近乎于魔鬼的成本控制下，在最新一季财报中，其毛利率已经飙升到了将近50%。
在这样一个对成本极为控制严格，又同时拥有极大议价权的大甲方，竟然在供应商给出第一个试探性价格以后，连谈都没谈就“被迫”接受。
但事实上，这一点理由或许难以成立，因为本身从供需结构以及AI对产能的争夺来看，苹果在内存芯片上也同样没有议价权，当前其主要依赖的存储与内存供应商包括铠侠、三星和 SK 海力士，这些厂商纷纷抬价，令苹果在维持产品官方定价不变的情况下面临利润被挤压的压力。苹果也在考虑引入第三家内存与存储芯片厂商，把价格打下来，避免韩系厂商一家独大的局面。
据国外媒体报道称，苹果正考虑与中国半导体企业长鑫存储和长江存储展开合作，为即将推出的iPhone 18系列以及包括MacBook和台式Mac在内的其他产品提供内存与存储芯片。
在内存方面，长鑫存储已量产包括LPDDR5X与DDR5在内的多款产品，其规格与苹果现有产品路线高度契合。
在存储方面，长江存储则有望成为苹果闪存供应链中的重要增量力量。
三星SK海力士大涨价，国产存储芯片迎来反攻时机
如今，韩系内存全面转向AI，恰恰给国产存储留出市场空间，国产存储芯片正在迎来更好的时机，在过去，手机厂商为了更好的性能，都是采购三星与SK海力士的存储与内存芯片，如果苹果带头换国产存储芯片，那么有望带动所有的国产厂商转向国产。
根据TechInsights的拆解分析，长江存储已量产第五代3D NAND闪存芯片，总堆叠层数达到294层，其中232层为有效存储层。 这代产品的比特密度接近每平方毫米19.8 Gb，其面积效率已逼近当前全球领先NAND制造商的水平。有外国网友表示不相信国产存储会发展的如此之快。
事实上，之前有不少国外厂商都在考虑国产内存和存储。而且目前国产存储的产品技术也越来越好，长鑫明年要量产LPDDR6，在移动内存领域赶上世界领先水平，再加上之前长江已在NAND领域已经基本赶上世界领先水平，只差HBM。
也有消息称，长江存储正在开发LPDDR5和HBM内存技术，并计划2026年下半年开始生产DRAM。其武汉P3工厂扩建将用于DRAM生产，同时开发混合键合技术。
原本由于技术体量与市场占有率与客户惯性，国产存储很难有机会拿到头部厂商的大订单，如今韩系为应对AI需求的爆发式增长，手机内存芯片的产能严重不足，价格暴涨，可以说硬生生送出一个市场给国产存储，而且韩系基于AI的HBM芯片不可能长期增长，从SK海力士的内部会议来看，这波涨价潮可能会持续2~3年，这是国产存储厂商的机会，一旦AI的需求萎缩，三星与SK海力士最终还会掉头转向手机内存芯片。
因此，对于国产存储芯片来说，能否抓住这个时间窗口期顺势崛起，是长鑫存储和长江存储未来能否与三星与SK海力士鼎足而三甚至超过韩系厂商的关键。
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